问答题
用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
因为要求CPU在1μs内至少要访存一次，所以不能使用集中刷新方式，分散和异步刷新方式都可以使用，但异步刷新方式比较......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
问答题 指出有无地址重叠现象。
问答题 各种存储芯片分别用多少片？
问答题 某半导体存储器容量16K×8，可选SRAM芯片的容量为4K×4；地址总线A15～A0（低），双向数据总线D7～D0（低） ，由R／W线控制读／写。请写出地址分配、片选逻辑。
