问答题
预充电虽然在NOR ROM中工作得很好，但它应用到NAND ROM时却会出现某些严重的问题。请解释这是为什么？
电荷分享是预充电NAND ROM中要考虑的主要问题。可以在NAND ROM中实现，但设计者必须极为小心。
问答题 画一个2×2的MOS NAND型 ROM单元阵列，要求地址0，1中存储的数据值分别为10和10。并简述工作原理。
问答题 确定图中ROM中存放地址0，1，2和3处和数据值。并简述工作原理。
问答题 如图为一个4×4的 NOR ROM，假设此电路采用标准的0.25µm CMOS工艺实现，确定PMOS上拉器件尺寸使最坏的情况下VOL值不会高于1.5V（电源电压为2.5V）。这相当于字线摆为1V。NMOS尺寸取（W/L）=4/2。
