单项选择题
太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（）
A.杂质原子 B.位错 C.空位 D.二次缺陷
单项选择题 区熔法制备单晶硅时，需要（）
单项选择题 晶体生长过程中产生的缺陷称为（）
单项选择题 金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）
