多项选择题
单晶硅生长时，结晶界面处的径向温度梯度描述正确的是（）
A.单晶硅最初等直径生长时，生长界面凸向熔体，说明生长界面的径向温度梯度是正数B.单晶硅最初等直径生长时，生长界面凹向熔体，说明生长界面的径向温度梯度是正数C.硅晶体生长界面由平变凸，这说明结晶界面处的径向温度梯度由等于零变为负值，而且负值越来越小D.硅晶体生长界面由平变凹，这说明结晶界面处的径向温度梯度由等于零变为负值，而且负值越来越小
多项选择题 单晶硅生长时，熔体中的纵向温度梯度过小时导致的结果描述错误的是（）
多项选择题 单晶硅生长时，熔体中的纵向温度梯度描述正确的是（）
多项选择题 单晶硅生长时，晶体中的纵向温度梯度过大时会导致什么结果（）
