问答题
试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
晶闸管门极注入触发电流后，晶闸管开始只在靠近门极附近的小区域内导通，随着时间的推移，导通区才逐渐扩大到PN结的全部面积。......
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问答题 试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
问答题 Power MOSFET和GTR哪个易于并联，为什么？
问答题 为什么GTO的内部结构与普通晶闸管相似，但却可以通过施加门极负电流使其关断？
