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微电子器件与IC设计基础

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问答题

计算题

NPN双极晶体管,NE=108cm-3,NB=1016cm-3,We=0.5μm,Wb=0.6μm,Dpe=10cm2/s,Dnb=25cm2/s,tpe=10-7s,tnb=5×10-7s,计算α0,β0。若为缓变基区晶体管,且NB(0)=2×1016cm-3,NC=1015cm-3,其他参数相同,再求其β0。

【参考答案】

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问答题 一NPN硅平面晶体管,基区宽度Wb=1μm,基区杂质浓度呈线性分布,若要求β*不小于0.975,试问:基区电子扩散长度Lnb应不小于多少微米?如果Dnb=14cm2/s,则基区电子寿命应不小于多少微秒?

问答题 一均匀基区NPN晶体管,Wb=1μm,Lnb=10μm,Lpe=5μm,pe=0.005Ω·cm,pb=0.15Ω·cm,计算γ0,β*0,α0,β0。

问答题 晶体管的基区宽度Wb和基区杂质浓度Nb和晶体管的哪些特性有关?

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