多项选择题
化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。
A.热丝化学气相沉积制备多晶硅B.低压化学气相沉积制备多晶硅C.非晶硅晶化制备多晶硅薄膜D.等离子增强化学气相沉积
多项选择题 关于D/A界面说法正确的是（）。
单项选择题 关于光致衰减效应说法正确的是（）。
多项选择题 非晶硅太阳电池相对与晶体硅太阳电池的优点在于（）。
