多项选择题
Si、Ge元素半导体的主要散射机构为（）
A.位错散射B.电离杂质散射C.谷间散射D.晶格振动散射
单项选择题 关于“爱因斯坦关系”，以下说法正确的是（）
多项选择题 关于“载流子的迁移率”，以下说法正确的是（）
多项选择题 关于“载流子的漂移运动”，以下说法正确的是（）
