单项选择题
已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.无法判断
单项选择题 N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。
单项选择题 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，其阈值电压应该是（）的，积累状态时所加的栅电压应该是（）的
单项选择题 P-Sub的理想MOS结构衬底的费米势应该是（）的；强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是（）的
