单项选择题
反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（）过程。
A.产生和漂移B.漂移和扩散C.扩散和复合D.产生和扩散
单项选择题 PN结中冶金结的含义是（）。
单项选择题 以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应？（）
单项选择题 MOSFET的（）是输出特性曲线的斜率，（）是转移特性曲线的斜率。
