判断题 太阳电池用单晶硅片一般利用氢氧化钠腐蚀液来进行腐蚀，腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，约为20～30um。

判断题 如果减少多晶硅铸锭炉的氮化硅喷涂工艺，可以降低成本。

判断题 热交换法的铸锭炉底部不需要水冷。