判断题
在平衡态时,多子的漂移运动与少子的扩散运动达到动态平衡,从而使得扩散电流等于漂移电流。
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判断题 单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧,最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
多项选择题 长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响?()
多项选择题 MOSFET发生速度饱和之后,以下哪些物理量将与沟道长度不相关?()