单项选择题
集成电路制造工艺中，制备二氧化硅的方法有（）
A.化学汽相沉积B.原子层沉积C.热氧化D.以上都是
单项选择题 硅氧四面体由（）组成。
单项选择题 超高真空的简称是（）
单项选择题 SOS是在（）衬底上外延单晶硅。
