单项选择题
在CMOS中通常PMOS栅极采用p+多晶硅而非n+多晶硅，其原因是（）。
A.p+多晶硅栅具有较大功函数B.p+多晶硅栅具有更低电阻率C.p+多晶硅栅可以做成埋沟器件D.p+多晶硅栅适合自对准工艺
单项选择题 以下（）描述对于正常放大工作的NPN晶体管是正确的。
单项选择题 双极型晶体管硅管和锗管中，发射结势垒区复合电流对发射效率的影响，下列说法中正确的是（）。
单项选择题 N+/p结中，反偏情况下占据主导的电流是（）。
