问答题
离子注入后为什么要退火，高温退火和快速热处理哪个更优越，为什么？
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格。如果注入的剂量很大，被注入层将变成非晶。另外，被注入离子基本不占据硅的晶格......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
问答题 为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限？为什么现在需要高K值（介电常数）的栅介质？低K介质用在什么地方？为什么？
问答题 在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
问答题 比较投影掩模版和光学掩模版有何异同？说明采用什么技术形成投影掩模版上的图形？
