判断题
多晶硅的晶向多样，因此位错腐蚀坑一般显示为圆形或椭圆形。
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判断题 纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。
单项选择题 PCD方法可用于测量（）。
单项选择题 最常用于测试半导体材料电阻率的方法是（）。
