单项选择题
晶体用腐蚀液腐蚀，硅单晶各晶面腐蚀速率排序正确的是（）
A.（100）晶面< （110）晶面< （111）晶面B.（100）晶面=（110）晶面=（111）晶面C.（100）晶面>（110）晶面>（111）晶面D.（100）晶面≈（110）晶面≈（111）晶面
单项选择题 晶体生长时，对于硅单晶的各晶面法向生长速度排序正确的是（）
单项选择题 晶格结构中（110）晶面的面间距计算正确的是（）
单项选择题 关于晶体的微观描述正确的是（）
