问答题 某半导体材料的少子寿命τ=20μs，光照产生了非平衡载流子，试求光照突然停止10μs后，非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？

问答题 在一N-Ge样品中，过剩载流子浓度为1014cm-3，空穴寿命100μs，计算该样品中空穴的复合率。

问答题 473K时硅的求本征硅的电阻率ρi。