单项选择题
用直拉法生长硅单晶，当生长界面凸向熔体时下面描述正确的是（）
A.单晶生长界面不但受到曲率效应作用还受到浮力的作用B.单晶生长界面只受到曲率效应作用C.单晶生长界面只受到浮力的作用D.以上说法都不对
单项选择题 关于粗糙突变界面模型描述正确的是（）
单项选择题 非完整突变光滑界面的生长描述错误的是（）
单项选择题 下列有关原子生长速度的描述错误的是（）
