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直拉单晶硅工艺学

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填空题

晶体生长时,面间距大的晶面间,原子的吸引力小,新的晶面形成难度()。

【参考答案】

大

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填空题 晶体生长时,各晶面的()不同,面密度大的晶面。

填空题 晶体中原子的总数一定,面间距比较小的面族,晶面间距较(),晶面排列密度较(),每个晶面上的原子少些。

填空题 由于单晶各晶面原子()不同,每个晶面族的原子面密度也不一样,不同的生长方向生长速度不同。

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