单项选择题
以下关于半导体能带特征描述正确的是（）
A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体
单项选择题 布洛赫定理是描述（）中电子的运动行为。
单项选择题 闪锌矿结构包含几种原子（）
单项选择题 考虑一种面心立方单晶材料，其晶格常数为a，则该晶体的原子体浓度为（）
