判断题 ‎P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。

判断题 ​MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。

判断题 当硅表面处的少子浓度达到或大于表面多子浓度时，称表面发生了强反型。