单项选择题 半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。

单项选择题 ‌对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将（）。

单项选择题 MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（），若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。