判断题
晶体管对于dV/dt的要求比晶闸管高。
错误
判断题 晶体管应加快速熔断器进行过流保护。
判断题 晶闸管di/dt的抑制主要措施是在晶闸管上串联一个电感。
判断题 晶闸管dV/dt的抑制主要措施是在晶闸管上并联一个阻容电路。