单项选择题
理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下（）。
A.半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化B.半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化C.半导体发生了深耗尽D.半导体表面附近的电子不能产生
单项选择题 降低基区掺杂浓度，（）。
单项选择题 不能单纯依靠提高发射区掺杂浓度来提高发射效率的物理原因是（）。
单项选择题 双极型晶体管硅管和锗管中，发射结势垒区复合电流对发射效率的影响，下列说法中正确的是（）。
