单项选择题
以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流？（）
A.减小栅氧化层厚度B.减小沟道宽度C.提高阈值电压D.增加沟道长度
单项选择题 ICBO代表（）时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。
单项选择题 为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。
单项选择题 在测量ICBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处于（）。
