问答题
简述应变退火法制备铝单晶的几种工艺。
（1）先在550℃使纯度为99.06%的铝退火，以消除原有应变的影响和提供要求的大小，再使无应变的晶粒较细的铝变形以产生......
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问答题 如何选择单晶体的制备方法？
问答题 单晶体的基本性质是什么？
问答题 简述共喷沉积法的基本原理与应用。
