问答题
试说明硅工艺中常用掺杂杂质B，P，As的扩散特性。
B：P型杂质，OED； P：N型杂质，深结，OED； AS：N型杂质，离子注入精确控制结深。
名词解释 发射区推进效应
名词解释 OED/ORD
名词解释 薄层电阻
