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集成电路工艺原理

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判断题

传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。

【参考答案】

正确

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判断题 氧化物有两个生长阶段来描述,分别是线性阶段和抛物线阶段。

判断题 虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词,但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结,取而代之的是离子注入。

判断题 栅氧一般通过热生长获得。

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