判断题
传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。
正确
判断题 氧化物有两个生长阶段来描述,分别是线性阶段和抛物线阶段。
判断题 虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词,但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结,取而代之的是离子注入。
判断题 栅氧一般通过热生长获得。