单项选择题
Ga替位掺入Ge中,其将成为()。
A.中性杂质B.受主C.施主D.两性杂质
单项选择题 随温度升高,Si的禁带宽度()。
单项选择题 室温下Ge晶体的导带底由()个旋转椭球构成。
单项选择题 室温下,Si晶体中两个最近的SI原子的间距大约为()埃。