单项选择题
对于一般浓度的掺杂半导体，室温下其主要散射机制为：（）
A.光学声子散射B.电离杂质散射C.声学声子散射D.中性杂质散射
单项选择题 以下哪个区域对应室温下的n-Si载流子随温度变化的关系？（）
单项选择题 能态密度的单位可以是（）。
单项选择题 Si中常见点缺陷是（）缺陷。
