问答题
简述p沟道MOSFET的工作原理。
问答题 简要说明JFET的工作原理。
问答题 晶体管穿通后的特性如何变化？某晶体管的基区杂质浓度NB=1019cm-3，集电区的杂质浓度NC=5×1015cm-3，基区的宽度WB=0.3μm，集电区宽度WC=10μm，求晶体管的击穿电压。
问答题 硅晶体管的标称耗散功率为20W，总热阻为5℃/W，满负荷条件下允许的最高环境温度是多少？（硅Tjm=200℃，锗Tjm=100℃）
