填空题
本征半导体硅的禁带宽度是1.14eV，它能吸收的辐射的最大波长为（）。（普朗克恒量h=6.63×10-34J·s，1eV＝1.6×10-19J）
1087.6nm;
填空题 在半导体材料中，载流子散射主要有两方面的原因：（）和（）。
填空题 下两图（a）与（b）中，（a）图是（）型半导体的能带结构图，（b）图是（）型半导体的能带结构图。
填空题 电场周期破坏的来源是：（）、（）、（）、（）等。
