单项选择题
一维情况下以突变pn结冶金学界面处为x轴的零点，计算室温下平衡硅pn结中导带底比n区电中性区高0.1eV的位置与耗尽区在n区边界xn间的距离（p区：Na=1E18cm-3，n区：Nd=1E16cm-3，εr=11.9）：（）
A.1.0umB.0.1umC.0.01umD.0.5um
单项选择题 Si器件中，典型的少子扩散长度的数量级在（）。
单项选择题 Si芯片的最高工作温度约为（）摄氏度。
单项选择题 室温下，Si的本征载流子浓度约为（）cm-3。
