单项选择题
一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，（）
A.其阈值电压应该是正的B.强反时，其空间电荷区中的电荷应该是负的C.积累状态时所加的栅电压应该是负的D.其费米势应该是负的
单项选择题 当三极管的共射电流放大系数下降为1时所对应的频率为（）
单项选择题 关于NPN管直流工作特性分析，不正确的是（）
单项选择题 当Vce为25V，基极电流为80uA时，集电极电流为（）mA
