问答题
图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。
问答题 试述MOS管沟道长度L和宽度W与阈值电压的关系。
问答题 什么是MOSFET的阈值电压，它受哪些因素影响？
问答题 已知突变PN结零偏势垒电容为3pF，内建势垒电压为0.5V，计算10V反偏电压时的势垒电容。
