单项选择题
室温下，下列哪个硅半导体的功函数最大（）
A.硼掺杂浓度为1015cm-3B.磷掺杂浓度为1016cm-3C.纯净硅D.硼掺杂浓度为1015cm-3，磷掺杂浓度为1016cm-3
单项选择题 pn结雪崩击穿的的机理是（）
单项选择题 实际处于反偏状态下的pn结，其载流子的产生率与复合率之间的关系为（）
单项选择题 下列哪个条件不是理想pn结模型的假设条件（）
