多项选择题
硅外延生长工艺包括（）。
A.衬底制备 B.原位HCl腐蚀 C.生长温度，生长压力，生长速度 D.尾气的处理
单项选择题 位错的形成原因是（）。
单项选择题 下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）
单项选择题 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）
