多项选择题
区熔法描述正确的是（）
A.悬浮区熔法比直拉法出现晚B.区熔法正发展成为单晶硅生产的一种重要方法C.区熔法又叫悬浮区熔法、FZ法D.区熔法工艺复杂，在硅单晶的生产中不常用
多项选择题 下列关于直拉法的描述正确的是（）
多项选择题 下列哪些是从熔体中生长单晶所用方法？（）
多项选择题 晶体生长实验证明，导致界面不稳定原因主要由下列几种因素引起的（）
