填空题
对于耗尽型MOS管,VGS可以为()
正、负或者零
填空题 场效应管漏极电流由()载流子的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET管中的漏极电流()穿过PN结(能,不能)。
填空题 为了使结型场效应管正常工作,栅源间两PN结必须加()电压来改变导电沟道的宽度,它的输入电阻比MOS管的输入电阻()。结型场效应管外加的栅-源电压应使栅源间的耗尽层承受()向电压,才能保证其RGS大的特点。
填空题 场效应管利用外加电压产生的电()来控制漏极电流的大小,因此它是电()控制器件。