单项选择题
室温下,某半导体的本征载流子浓度为2×106cm-3,掺杂浓度为ND=1015cm-3,电子和空穴的迁移率分别为8500cm2/V·s和400cm2/V·s。若外加电场强度为10V/cm,则其漂移电流密度为()A/cm2。
A.1.36B.13.6C.0.68D.6.8
单项选择题 对于某均匀掺杂的半导体,若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时,多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反,则该半导体的掺杂类型为()。
单项选择题 已知仅掺杂磷的n型硅样品,且其室温时的电阻率为10Ω·cm,则其掺杂浓度最可能为()cm-3。
单项选择题 下列关于硅的电子电导率的描述正确的是()。