单项选择题
设在金属与n型半导体之间加一电压，且n-Si接高电位，金属接低电位，使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势Vs=0.4V；外加电压为5V，施主浓度ND=1016cm-3，则耗尽层厚度约为（）。
A.93μmB.73μmC.63μmD.83μm
单项选择题 对于非理想的MIS结构，当半导体功函数小于金属功函数时，引起平带电压为（）；当绝缘层中存在负电荷时，若电荷密度（），或者电荷分布越（）金属一侧，平带电压的绝对值越大。
多项选择题 硅肖特基二极管的特点（）
多项选择题 欧姆接触有哪些实现的方式？（）
