单项选择题
在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。
A.横向效应，>B.横向效应，<C.沟道效应，<D.沟道效应，>
多项选择题 关于氧化速率下面哪种描述是正确的？（）
单项选择题 在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向？（）
填空题 在硅表面LPCVD-Si3N4之前，都会先热生长薄氧化层，它被称为（）层。
