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微电子器件与IC设计基础

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问答题

计算题

现有硅、锗PN结各一,其掺杂浓度均为ND=5×1015cm-3,NA=1017cm-3,求300K时的VD各为多少?说明为什么会有这种差别?

【参考答案】

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问答题 PN结的扩散电势与哪些因素有关?

问答题 写出下列状态下连续性方程的简化形式: (1)无浓度梯度、无外加电场、有光照、稳态; (2)无外加电场、无光照等外因引起载流子的产生,稳态。

问答题 光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上,假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3,求少数载流子浓度和电阻率。

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