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微电子器件与IC设计基础

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问答题

计算题

理想硅PN结,ND=1016cm-3,在IV正偏压下,求N型中性区内存储的少数载流子总量。

【参考答案】

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问答题 试计算温度从300K增加至400K时,硅PN结反向电流增大多少倍?如果25℃时某锗PN结反向电流为10μA,当温度上升到45℃时反向电流有多大?

问答题 硅、锗PN结各一,其掺杂浓度均为NA=1818cm-3、ND=1015cm-3,N区的寿命tp=10-5s,且Wn>LP,300K下N型锗中Dp=45cm2/s,N型硅中Dp=13cm2/s,求外加偏压为-5V时,反向饱和电流和势垒区产生电流各位多少?从中可以得到什么结论?

问答题 Si的PN结中ND=1016cm-3、DP=13cm2/s、LP=2×10-3cm、A=105cm2,若规定二极管正向电流达到0.1mA时的电压为阀值电压,问该PN结阀值电压Vi是多少?参数相同的锗PN结Vi是多少?

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