单项选择题
旋涡缺陷的形成机理，有几种不同说法，描述正确的是（）
A.漩涡是空位和氧的络合物B.氧、碳、自间隙原子或自间隙原子聚集物只能是漩涡形成的诱发因素C.硅单晶中能否形成漩涡和它生长的历史有关D.以上说法都不完全准确
单项选择题 硅单晶生长过程中收尾的意义是（）
单项选择题 扩散系数描述正确的是（）
单项选择题 多晶硅熔化后放入较多掺杂元素，拉制成晶，然后按标准厚度切片、按电阻率分级、按规定破碎、清洁处理保证纯度，制成母合金，其中最重要的是（）
