判断题
如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
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填空题 拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的（）造成。
单项选择题 磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率（）
判断题 在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭。
