问答题
如图所示,简述N沟道晶体管的工作原理。
栅极电压很小时,源区S和漏区D被P型区隔开,即使在SD之间施加一定的电压,但由于SP和DP区构成两个反向PN结,因此只有......
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问答题 以对Si掺入As后形成的N型半导体为例,简述掺杂对半导体导电能力的影响。
问答题 简述研究金属热容量的意义,并以过渡元素Mn、Fe、Co和Ni具有较高的电子热容量为例说明费密能级附近能态密度的情况。
问答题 简述近自由电子近似模型、方法和所得到的主要结论。