多项选择题
减小基区串联电阻的主要技术途径包括（）
A.采用双基极条B.减少无源基区掺杂浓度C.增加无源基区掺杂浓度D.增加基极条和发射极条之间的距离
多项选择题 增大直流偏置电压VCE对基区渡越时间τb集电结势垒电容充放电时常数τc影响进而对特征频率fT的影响是（）
多项选择题 增大直流偏置电流IE对发射结势垒电容充放电时常数τe和基区渡越时间τb的影响进而对特征频率fT的影响是（）
多项选择题 提高特征频率的主要技术途径包括（）
