问答题 设电子和空穴的迁移率分别为1350cm2/V·S和500cm2/V·S，试计算本征硅在300K下的电导率。当掺入百万分之一的砷后，设杂质全部电离，计算其电导率，并将其与本征硅的电导率进行比较。

问答题 室温下锗的本征电阻率为47Ω·cm，如果电子和空穴的迁移率分别为3900cm2/V·S和1900cm2/V·S，试求本征锗的载流子浓度。

问答题 计算施主掺杂浓度ND=9×1015cm-3及受主掺杂浓度NA=1.1×1016cm-3的硅在室温下的电子浓度和空穴浓度以及费米能级的位置。